Про внесення змін до Закону України "Про спеціальний режим інвестиційної та інноваційної діяльності технологічних парків "Напівпровідникові технології і матеріали, оптоелектроніка та сенсорна техніка", "Інститут електрозварювання імені Є.О. Патона", ...

                    З А К О Н   У К Р А Ї Н И

               Про внесення змін до Закону України
             "Про спеціальний режим інвестиційної та
           інноваційної діяльності технологічних парків
            "Напівпровідникові технології і матеріали,
              оптоелектроніка та сенсорна техніка",
                "Інститут електрозварювання імені
              Є.О. Патона", "Інститут монокристалів"
 
      ( Відомості Верховної Ради (ВВР), 2002, N 3-4, ст.28 )
 
 
 
     Верховна Рада України  п о с т а н о в л я є:
 
     I. Внести   до   Закону   України   "Про   спеціальний  режим
інвестиційної  та  інноваційної  діяльності  технологічних  парків
"Напівпровідникові  технології  і  матеріали,  оптоелектроніка  та
сенсорна техніка", "Інститут електрозварювання імені Є.О. Патона",
"Інститут монокристалів" ( 991-14 )   (Відомості  Верховної   Ради
України, 1999 р., N 40, ст. 363) такі зміни:
 
     назву Закону викласти в такій редакції:
 
     "Про спеціальний   режим   інвестиційної   та    інноваційної
діяльності  технологічних  парків  "Напівпровідникові технології і
матеріали,  оптоелектроніка  та   сенсорна   техніка",   "Інститут
електрозварювання  імені  Є.О. Патона", "Інститут  монокристалів",
"Вуглемаш";
 
     преамбулу після  слів  "Інститут  монокристалів" (м. Харків)"
доповнити словами "Вуглемаш" (м. Донецьк)".
 
     II. Прикінцеві положення
 
     1. Цей Закон набирає чинності з дня його опублікування.
 
     2. Кабінету  Міністрів  України  у тримісячний строк привести
свої нормативно-правові акти у відповідність з цим Законом.
 
 
 Президент України                                         Л.КУЧМА
 
 м. Київ, 4 жовтня 2001 року
          N 2743-III